IS61VVPS102436B-200B3LI
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ISSI IS61VVPS102436B-200B3LI

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型号

IS61VVPS102436B-200B3LI

品牌

ISSI

utmel 编号

1266-IS61VVPS102436B-200B3LI

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Sync Quad 1.8V 36M-Bit 1M x 36 3.1ns 165-Pin TFBGA (Alt: IS61VVPS102436B-200B3LI)

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IS61VVPS102436B-200B3LI ISSI SRAM Chip Sync Quad 1.8V 36M-Bit 1M x 36 3.1ns 165-Pin TFBGA (Alt: IS61VVPS102436B-200B3LI)

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IS61VVPS102436B-200B3LI详情

ISSI IS61VVPS102436B-200B3LI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    165

  • Package Description

    TBGA,

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    1000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Access Time-Max

    3.1 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    IS61VVPS102436B-200B3LI

  • Number of Words

    1048576 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Integrated Silicon Solution Inc

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • Risk Rank

    5.73

  • JESD-609代码

    e1

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    1MX36

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    36

  • 记忆密度

    37748736 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    缓存SRAM

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.89 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.71 V

  • 宽度

    13 mm

  • 长度

    15 mm

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IS61VVPS102436B-200B3LI拓展信息

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