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技术文档
型号
IS61WV6416EEBLL-8BLI
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS61WV6416EEBLL-8BLI
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS61WV6416EEBLL-8BLI datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
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IS61WV6416EEBLL-8BLI详情
技术参数
ISSI IS61WV6416EEBLL-8BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
SMD
表面安装
YES
终端数量
48
RoHS
有
MSL
n/a
Package Description
TFBGA, BGA48,6X8,30
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
8 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
Manufacturer Part Number
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.72
系列
LTC2xxx
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
2.5/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.4 V
注意
-
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.004 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
宽度
6 mm
长度
8 mm
达到SVHC
compliant
IS61WV6416EEBLL-8BLI拓展信息
公司资质
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