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技术文档
型号
IS64LV6416L-12BA3
品牌
ISSI
utmel 编号
1266-IS64LV6416L-12BA3
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IS64LV6416L-12BA3 datasheet pdf and Unclassified product details from ISSI stock available at utmel
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IS64LV6416L-12BA3详情
技术参数
ISSI IS64LV6416L-12BA3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
48
Package Description
TFBGA, BGA48,6X8,30
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
12 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.52
Part Package Code
BGA
Usage Level
Automotive grade
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.63 V
电源
温度等级
AUTOMOTIVE
电源电压-最小值(Vsup)
2.97 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.115 mA
组织结构
64KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
AEC-Q100
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
宽度
6 mm
长度
8 mm
达到SVHC
compliant
IS64LV6416L-12BA3拓展信息
公司资质
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