ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BLI
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IS42S32160F-6BLI
1266-IS42S32160F-6BLI
存储器
90-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
--最小包装量--
IS42S32160F-6BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
512Mb 16M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
167MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
16MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.004A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42S32160F-6BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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