显示的结果

'is42s32800d6bl'

4结果
  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

操作温度

包装

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 供电

端子位置

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

频率

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源电压-最小值(Vsup)

界面

最大电源电压

最小电源电压

内存大小

端口的数量

电源电流

时钟频率

访问时间

内存格式

内存接口

数据总线宽度

组织结构

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

最高频率

I/O类型

刷新周期

顺序突发长度

交错突发长度

座位高度(最大)

长度

辐射硬化

RoHS状态

IS42S32800D-6BL
IS42S32800D-6BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

60 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

90-TFBGA

90

Volatile

0°C~70°C TA

Tray

e1

yes

Obsolete

2 (1 Year)

90

EAR99

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

AUTO/SELF REFRESH

8542.32.00.24

3V~3.6V

BOTTOM

260

1

3.3V

0.8mm

40

90

3.3V

3.6V

3V

256Mb 8M x 32

1

180mA

166MHz

5.4ns

DRAM

Parallel

32b

8MX32

32

13b

256 Mb

0.003A

COMMON

4096

1248FP

1248

1.2mm

13mm

符合RoHS标准

IS42S32800D-6BLI
IS42S32800D-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

1194 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Copper, Silver, Tin

表面贴装

表面贴装

90-TFBGA

90

Volatile

-40°C~85°C TA

Tray

e1

yes

Obsolete

3 (168 Hours)

90

EAR99

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

AUTO/SELF REFRESH

8542.32.00.24

3V~3.6V

BOTTOM

260

1

3.3V

0.8mm

40

90

3.3V

3.6V

3V

256Mb 8M x 32

1

180mA

166MHz

5.4ns

DRAM

Parallel

32b

8MX32

32

13b

256 Mb

0.003A

COMMON

4096

1248FP

1248

1.2mm

13mm

符合RoHS标准

IS42S32800D-6BL-TR
IS42S32800D-6BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

90-TFBGA

90

90-TFBGA (8x13)

Volatile

0°C~70°C TA

Tape & Reel (TR)

Obsolete

2 (1 Year)

70°C

0°C

3V~3.6V

166MHz

3.3V

Parallel

3.6V

3V

256Mb 8M x 32

180mA

166MHz

5.4ns

DRAM

Parallel

32b

13b

256 Mb

166MHz

符合RoHS标准

IS42S32800D-6BLI-TR
IS42S32800D-6BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

90-TFBGA

90

90-TFBGA (8x13)

Volatile

-40°C~85°C TA

Tape & Reel (TR)

Obsolete

2 (1 Year)

85°C

-40°C

3V~3.6V

166MHz

3.3V

Parallel

3.6V

3V

256Mb 8M x 32

180mA

166MHz

5.4ns

DRAM

Parallel

32b

13b

256 Mb

166MHz

符合RoHS标准