ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBL
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IS43DR16128B-25EBL
1266-IS43DR16128B-25EBL
存储器
84-TFBGA
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA
1最小包装量--
IS43DR16128B-25EBL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
引脚数
84
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 128M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
128MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.03A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
13.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43DR16128B-25EBL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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