ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI-TR
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IS43DR16320C-3DBLI-TR
1266-IS43DR16320C-3DBLI-TR
存储器
84-TFBGA
大陆
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DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2
--最小包装量--
IS43DR16320C-3DBLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
引脚数
84
供应商器件包装
84-TWBGA (8x12.5)
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
1.7V~1.9V
频率
333MHz
界面
Parallel
最大电源电压
1.9V
最小电源电压
1.7V
内存大小
512Mb 32M x 16
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
最高频率
333MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IS43DR16320C-3DBLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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