ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320B-6BLI
- 收藏
- 对比
IS43LR16320B-6BLI
1266-IS43LR16320B-6BLI
存储器
60-TFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
--最小包装量--
IS43LR16320B-6BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320B-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
60
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 32M x 16
端口的数量
1
电源电流
110mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.00001A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
长度
10mm
座位高度(最大)
1.1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43LR16320B-6BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。