ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL
- 收藏
- 对比
IS43LR16320C-6BL
1266-IS43LR16320C-6BL
存储器
60-TFBGA
大陆
立即发货

DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
1最小包装量--
IS43LR16320C-6BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
60
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 32M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
最大电源电流
60mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.0003A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
长度
10mm
座位高度(最大)
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43LR16320C-6BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。