ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL
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IS43R16800E-6TL
1266-IS43R16800E-6TL
存储器
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
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DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
--最小包装量--
IS43R16800E-6TL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
66
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
220mA
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.5V
端子位置
DUAL
功能数量
1
端子间距
0.65mm
内存大小
128Mb 8M x 16
端口的数量
1
时钟频率
166MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
地址总线宽度
14b
密度
128 Mb
待机电流-最大值
0.003A
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
2.7V
电压 - 供电 (最小值)
2.3V
刷新周期
4096
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IS43R16800E-6TL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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