ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M18A-250M3L
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IS61DDB41M18A-250M3L
1266-IS61DDB41M18A-250M3L
存储器
165-LBGA
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SRAM 18Mb 250Mhz 1Mx18 DDR-II Sync SRAM
--最小包装量--
IS61DDB41M18A-250M3L详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M18A-250M3L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
500mA
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
端子表面处理
锡银铜
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
资历状况
不合格
内存大小
18Mb 1M x 18
端口的数量
2
时钟频率
250MHz
访问时间
8.4ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
18b
密度
18 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
1.7V
电压 - 供电 (最大值)
1.89V
电压 - 供电 (最小值)
1.71V
长度
17mm
座位高度(最大)
1.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61DDB41M18A-250M3L拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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