ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI
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IS61LF12836EC-6.5TQLI
1266-IS61LF12836EC-6.5TQLI
存储器
100-LQFP
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SRAM 4M, 3.3V, 6.5ns 128Kx36 Sync SRAM
1最小包装量--
IS61LF12836EC-6.5TQLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
YES
引脚数
100
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
190mA
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
资历状况
不合格
内存大小
4.5Mb 128K x 36
端口的数量
4
时钟频率
133MHz
访问时间
6.5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
17b
密度
4 Mb
待机电流-最大值
0.085A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
电压 - 供电 (最小值)
3.135V
长度
20mm
座位高度(最大)
1.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61LF12836EC-6.5TQLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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