ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-6.5B3I

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-TBGA

引脚数

165

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

165

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

电压 - 供电

3.135V~3.465V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

1mm

引脚数量

165

工作电源电压

3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

3.135V

内存大小

18Mb 512K x 36

端口的数量

4

电源电流

500mA

时钟频率

133MHz

访问时间

6.5ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX36

输出特性

3-STATE

内存宽度

36

地址总线宽度

19b

密度

18 Mb

待机电流-最大值

0.075A

I/O类型

COMMON

同步/异步

Synchronous

字长

36b

长度

15mm

座位高度(最大)

1.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant