ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3LI
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IS61NLP102418-200B3LI
1266-IS61NLP102418-200B3LI
存储器
165-TBGA
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SRAM Chip Sync Dual 3.3V 18M-bit 1M x 18 3.1ns 165-Pin BGA
1最小包装量--
IS61NLP102418-200B3LI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3LI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-TBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
475mA
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
内存大小
18Mb 1M x 18
端口的数量
2
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
20b
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.075A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
3.14V
电压 - 供电 (最大值)
3.465V
电压 - 供电 (最小值)
3.135V
长度
15mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IS61NLP102418-200B3LI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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