ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2LI
- 收藏
- 对比
IS61NLP25636A-200B2LI
1266-IS61NLP25636A-200B2LI
存储器
119-BBGA
大陆
立即发货

SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 119-Pin BGA
--最小包装量--
IS61NLP25636A-200B2LI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2LI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BBGA
表面安装
YES
引脚数
119
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
119
工作电源电压
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
9Mb 256K x 36
端口的数量
4
电源电流
280mA
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
18b
密度
9 Mb
待机电流-最大值
0.05A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
22mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IS61NLP25636A-200B2LI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc








哦! 它是空的。