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IS61QDPB41M36A1-400B4LI
IS61QDPB41M36A1-400B4LI

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A1-400B4LI

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型号

IS61QDPB41M36A1-400B4LI

品牌

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

utmel 编号

1266-IS61QDPB41M36A1-400B4LI

商品类别

存储器

封装

165-TBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS, ODT Option 1

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1最小包装量--

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IS61QDPB41M36A1-400B4LI
IS61QDPB41M36A1-400B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS, ODT Option 1

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IS61QDPB41M36A1-400B4LI详情

技术参数

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A1-400B4LI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    165-TBGA

  • 表面安装

    YES

  • Memory Types

    Volatile

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    165

  • 电压 - 供电

    1.8V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1mm

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B165

  • 内存大小

    36Mb 1M x 36

  • 时钟频率

    400MHz

  • 访问时间

    8.4ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    1MX36

  • 内存宽度

    36

  • 记忆密度

    37748736 bit

  • 电压 - 供电 （最大值）

    1.89V

  • 电压 - 供电 （最小值）

    1.71V

  • 长度

    15mm

  • 座位高度(最大)

    1.4mm

  • 宽度

    13mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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