ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25632BLL-10BLI
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IS61WV25632BLL-10BLI
1266-IS61WV25632BLL-10BLI
存储器
90-TFBGA
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SRAM Chip Async Quad 3.3V 8M-bit 256K x 32 10ns 90-Pin WBGA
--最小包装量--
IS61WV25632BLL-10BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25632BLL-10BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
90
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
90mA
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
3A991
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
内存大小
8Mb 256K x 32
端口的数量
4
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
18b
密度
8 Mb
访问时间(最大)
10 ns
同步/异步
Asynchronous
字长
32b
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
长度
13mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61WV25632BLL-10BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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