ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-10BLI
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IS61WV51216EDBLL-10BLI
1266-IS61WV51216EDBLL-10BLI
存储器
48-TFBGA
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SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
--最小包装量--
IS61WV51216EDBLL-10BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-10BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
2.4V~3.6V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
资历状况
不合格
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.4V
内存大小
8Mb 512K x 16
端口的数量
1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
19b
密度
8 Mb
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
长度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61WV51216EDBLL-10BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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