ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-8BLI

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

Memory Types

Volatile

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

电压 - 供电

2.4V~3.6V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.75mm

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

2.5/3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.4V

内存大小

8Mb 512K x 16

端口的数量

1

电源电流

55mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

8ns

地址总线宽度

19b

密度

8 Mb

访问时间（最大）

8 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

待机电压-最小值

2V

长度

8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant