ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55TLI

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

Memory Types

Volatile

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 供电

2.5V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

44

工作电源电压

3.3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

内存大小

8Mb 512K x 16

端口的数量

1

电源电流

5mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

19b

密度

8 Mb

待机电流-最大值

0.00002A

最高频率

18MHz

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

高度

1.05mm

长度

18.52mm

宽度

10.29mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅