ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55TI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

44

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.5V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

44

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

3/3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

内存大小

1Mb 64K x 16

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

64KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.000005A

记忆密度

1048576 bit

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.2V

长度

18.415mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

10.16mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant