ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45B2LI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

电压 - 供电

2.3V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

0.75mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

2.5/3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.3V

内存大小

1Mb 64K x 16

端口的数量

1

电源电流

8mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

地址总线宽度

16b

密度

1 Mb

待机电流-最大值

0.000004A

访问时间（最大）

45 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

长度

8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant