ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45TLI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

Memory Types

Volatile

Current - Supply (Nom)

8mA

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 供电

3.3V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

电源

2.5/3.3V

内存大小

1Mb 64K x 16

端口的数量

1

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

地址总线宽度

16b

密度

1 Mb

待机电流-最大值

0.000004A

最高频率

22MHz

访问时间（最大）

45 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.3V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant