ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ALL-7010BLI

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

54-VFBGA

引脚数

54

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

54

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.75mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

电源

1.8V

内存大小

64Mb 4M x 16

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

4MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

待机电流-最大值

0.00001A

记忆密度

67108864 bit

访问时间（最大）

70 ns

I/O类型

COMMON

电压 - 供电 （最大值）

1.95V

电压 - 供电 （最小值）

1.7V

长度

8mm

座位高度(最大)

1mm

宽度

6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅