ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16DBLL-70BLI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.75mm

工作电源电压

3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.7V

内存大小

32Mb 2M x 16

端口的数量

1

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

地址总线宽度

21b

密度

32 Mb

访问时间（最大）

70 ns

I/O类型

COMMON

长度

8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准