IXYS FIO50-12BD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 30A, 39 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

200W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSIP-T5

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.6V

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

150ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

135 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

150nC

开关能量

4.6mJ (on), 2.2mJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅