IXLF19N250A
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IXYS IXLF19N250A

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型号

IXLF19N250A

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXLF19N250A

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

i4-Pac™-5 (3 Leads)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 32A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC

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IXLF19N250A
IXLF19N250A IXYS Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 32A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC

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IXLF19N250A详情

IXYS IXLF19N250A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    38 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    i4-Pac™-5 (3 Leads)

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    2.5kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    3.2V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    1500V, 19A, 47 Ω, 15V

  • Turn Off Delay Time

    600 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2005

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY

  • 电压 - 额定直流

    2.5kV

  • 最大功率耗散

    250W

  • 额定电流

    32A

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    250W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 输入类型

    Standard

  • 接通延迟时间

    100 ns

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 上升时间

    50ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.5kV

  • 最大集电极电流

    32A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    2500V

  • 接通时间

    150 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3.9V @ 15V, 19A

  • 关断时间-标准值(toff)

    850 ns

  • IGBT类型

    NPT

  • 闸门收费

    142nC

  • 开关能量

    15mJ (on), 30mJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    8V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和IXYS & IXLF19N250A相似的参数规格。

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    Max Collector Current
    RoHS Status
    Operating Temperature
    Subcategory
    查看对比:
  • IXLF19N250A

    IXLF19N250A

    Through Hole

    i4-Pac?-5 (3 Leads)

    2.5 kV

    2500V

    32 A

    ROHS3 Compliant

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Insulated Gate BIP Transistors

  • IXGH2N250

    Through Hole

    TO-247-3

    2.5 kV

    2500V

    55 A

    ROHS3 Compliant

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Insulated Gate BIP Transistors

  • IXBH12N300

    Through Hole

    TO-247-3

    3 kV

    3000V

    30 A

    ROHS3 Compliant

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Insulated Gate BIP Transistors

  • IXBH2N250

    Through Hole

    TO-247-3

    2.5 kV

    2500V

    5.5 A

    ROHS3 Compliant

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Insulated Gate BIP Transistors

  • IXBX25N250

    Through Hole

    TO-247-3

    2.5 kV

    2500V

    5 A

    ROHS3 Compliant

    -55°C ~ 150°C (TJ)

    Insulated Gate BIP Transistors

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IXLF19N250A拓展信息

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