IXYS IXBF55N300

安装类型

通孔

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

IXYS

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

86 A

Test Conditions

-

Maximum Gate Emitter Voltage

- 25 V, + 25 V

Pd - Power Dissipation

357 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7 V

Unit Weight

0.176370 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

25

Continuous Collector Current at 25 C

86 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

IXYS

Brand

IXYS

Tradename

BIMOSFET

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

3 kV

Package Description

ISOPLUS, I4PAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

637 ns

Manufacturer Package Code

ISOPLUS

Turn-off Time-Nom (toff)

475 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXBF55N300

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

8.51

Part Package Code

ISOPLUS

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

357 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

357 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

3 kV

电压 - 集射极击穿（最大值）

3000 V

最大耗散功率(Abs)

290 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 55A

集电极电流-最大值(IC)

73 A

IGBT类型

-

集电极-发射器电压-最大值

3000 V

闸门收费

335 nC

集极脉冲电流（Icm）

600 A

Td（开/关）@25°C

-

开关能量

-

栅极-发射极电压-最大值

25 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5 V

反向恢复时间(trr)

1.9 μs

产品类别

IGBT晶体管