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技术文档
型号
IXDT30N120D1
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXDT30N120D1
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IXDT30N120D1 datasheet pdf and Unclassified product details from IXYS stock available at utmel
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IXDT30N120D1详情
技术参数
IXYS IXDT30N120D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
THT
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
170 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
570 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Littelfuse Inc
Number of Elements
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
LITTELFUSE INC
Risk Rank
5.21
系列
BL13
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
行数
附加功能
低开关损耗
子类别
绝缘栅BIP晶体管
螺距
2,54 mm
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
触点表面处理
Sn plated
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
行间距
- mm
注意
-
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
定位/联系数
1x20
JEDEC-95代码
TO-268AA
最大耗散功率(Abs)
435 W
集电极电流-最大值(IC)
60 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5 V
本体高度
7 mm
达到SVHC
not_compliant
IXDT30N120D1拓展信息
公司资质
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