IXYS IXEH40N120D1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 40A, 39 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

300W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

300W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

180 ns

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

135 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

150nC

开关能量

6.1mJ (on), 3mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

符合RoHS标准