IXYS IXER35N120D1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

247

质量

5.3g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 35A, 39 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

440 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

200W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

50A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

200W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

接通延迟时间

85 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

50ns

集电极发射器电压(VCEO)

2.8V

最大集电极电流

50A

反向恢复时间

80 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

135 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

150nC

开关能量

5.4mJ (on), 2.6mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅