IXYS IXER60N120

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 60A, 22 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

375W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

375W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

50ns

集电极发射器电压(VCEO)

2.7V

最大集电极电流

95A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

130 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 60A

关断时间-标准值（toff)

710 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

350nC

开关能量

7.2mJ (on), 4.8mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准