IXYS IXFA230N075T2

工厂交货时间

30 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

480W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

230A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, TrenchT2™

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

PURE TIN

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

480W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

178nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

75V

连续放电电流(ID)

230A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0042Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

700A

DS 击穿电压-最小值

75V

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant