IXYS IXFH20N60

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

70 ns

Power Dissipation (Max)

300W Tc

已出版

2000

系列

HiPerFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

350MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

上升时间

43ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

反向恢复时间

250 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

4.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

双电源电压

600V

栅源电压

4.5 V

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅