IXYS IXFJ13N50

包装/外壳

TO-268-3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

13 A

Rds On - Drain-Source Resistance

400 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

180 W

Channel Mode

Enhancement

Tradename

HyperFET

Fall Time

32 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Typical Turn-Off Delay Time

76 ns

Typical Turn-On Delay Time

18 ns

Unit Weight

0.229281 oz

Package Description

I3PAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXFJ13N50

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

5.76

Part Package Code

TO-268AA

Drain Current-Max (ID)

13 A

系列

IXFJ13N50

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

27 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-268AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

180 W

高度

5.1 mm

长度

16.05 mm

宽度

14 mm