IXYS IXFK33N50

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

416W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

150mOhm

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

416W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 16.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

227nC @ 10V

上升时间

42ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

33A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

500V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅