IXYS IXFN32N120

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

表面安装

NO

供应商器件包装

SOT-227B

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IXFN32N120

Manufacturer

IXYS

Package

Box

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A

厂商

IXYS

Product Status

不用于新设计

Package Description

MINIBLOC-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

7.95

Drain Current-Max (ID)

32 A

系列

HiPerFET™

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

雪崩 额定

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

400 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.35 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

128 A

DS 击穿电压-最小值

1200 V

雪崩能量等级（Eas）

4000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-