IXYS IXFN38N100Q2

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

底座安装

安装类型

底座安装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

890W Tc

Turn Off Delay Time

57 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

890W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 19A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

250nC @ 10V

上升时间

28ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

38A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

152A

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅