IXFP8N65X2M详情
IXYS IXFP8N65X2M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商器件包装
TO-220 Isolated Tab
Package
Tube
Base Product Number
IXFP8N65
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
IXYS
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HiPerFET™, Ultra X2
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
790 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±30V
场效应管特性
-
IXFP8N65X2M拓展信息
IXYS
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