IXYS IXFQ26N50Q

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

PURE TIN

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

500V

连续放电电流(ID)

26A

漏极-源极导通最大电阻

0.2Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

104A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准