IXFR12N100详情
IXYS IXFR12N100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
ISOPLUS247™
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Tc
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tube
系列
HiPerFET™
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
雪崩 额定
电压 - 额定直流
1kV
最大功率耗散
250W
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
12A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1 Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 4mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1000V
连续放电电流(ID)
10A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
DS 击穿电压-最小值
1000V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IXFR12N100拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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