IXFR15N100Q详情
IXYS IXFR15N100Q重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10A
漏极-源极导通最大电阻
1.2Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
45A
DS 击穿电压-最小值
1000V
雪崩能量等级(Eas)
1000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
400W
RoHS状态
符合RoHS标准
IXFR15N100Q拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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IXYS
IXYS
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