IXYS IXFR30N50

表面安装

NO

材料

AL

材料处理

黑色阳极氧化

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

有

Designed for

PGA

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXFR30N50

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Littelfuse Inc

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

LITTELFUSE INC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

29 A

系列

ICKPGA

JESD-609代码

e1

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.16 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR