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技术文档
型号
IXFT12N50F
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXFT12N50F
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN
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IXFT12N50F详情
技术参数
IXYS IXFT12N50F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, TO-268, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
12 A
Part Package Code
TO-268AA
Risk Rank
5.76
Ihs Manufacturer
IXYS CORP
Part Life Cycle Code
Transferred
Number of Elements
1
Manufacturer
IXYS Corporation
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IXFT12N50F拓展信息
公司资质
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