IXYS IXFT150N17T2

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

880W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, TrenchT2™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

233nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

175V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

150A

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

175V

雪崩能量等级（Eas）

1000 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant