IXYS IXFT18N100Q3

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

830W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

37 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

660m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4890pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

90nC @ 10V

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.66Ohm

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

高度

5.1mm

长度

16.05mm

宽度

14mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant