IXFT26N60P详情
IXYS IXFT26N60P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
底架
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
460W Tc
Turn Off Delay Time
75 ns
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PolarHV™
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
电压 - 额定直流
600V
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
26A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
460W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
270m Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 4mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72nC @ 10V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
26A
阈值电压
5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.27Ohm
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
65A
雪崩能量等级(Eas)
1200 mJ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXFT26N60P拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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