IXYS IXFT66N20Q

包装/外壳

TO-268-3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200 V

Id - Continuous Drain Current

66 A

Rds On - Drain-Source Resistance

40 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

400 W

Channel Mode

Enhancement

Tradename

HyperFET

Fall Time

14 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Typical Turn-Off Delay Time

50 ns

Typical Turn-On Delay Time

20 ns

Unit Weight

0.158733 oz

Package Description

PLASTIC, TO-268, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXFT66N20Q

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

5.76

Part Package Code

TO-268AA

Drain Current-Max (ID)

66 A

包装

Tube

系列

IXFT66N20

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

18 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-268AA

漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

264 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

高度

5.1 mm

长度

16.05 mm

宽度

14 mm