IXYS IXFT80N10

包装/外壳

TO-268-3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Typical Turn-On Delay Time

41 ns

Pd - Power Dissipation

300 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.158733 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

IXYS

Brand

IXYS

Tradename

HyperFET

Rds On - Drain-Source Resistance

12.5 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

90 ns

Id - Continuous Drain Current

80 A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXFT80N10

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

LITTELFUSE INC

Risk Rank

5.35

Drain Current-Max (ID)

80 A

系列

IXFT80N10

包装

Tube

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

63 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-268

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0125 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

360 W

产品类别

MOSFET

宽度

14 mm

高度

5.1 mm

长度

16.05 mm