IXYS IXFV18N90PS

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PLUS-220SMD

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, PolarP2™

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5230pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

97nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

漏源击穿电压

900V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准